工藝和設計能力
01 先進的工藝技術
- 寬電壓范圍：-100VDS至200VDS溝槽MOS，200VDS至1500VDS平面MOS，600至800V超結MOS, 600V至1200V IGBT
- 低內(nèi)阻，高集成度，降低功耗：0.12 mΩ/cm2, world class RDS *Area ?133Mcell/in2 closed cell density.
- 優(yōu)異的開關特性：World class RG, Qg, trr, Crss / Ciss
?
02 先進的封裝技術
- 出貨 >100MU/Mo of 工業(yè)級封裝 | 持續(xù)開發(fā)更新的封裝
03 設計公司+晶圓代工模式
- 使用8寸&12寸晶圓制造產(chǎn)品 | 高集成度產(chǎn)品制造能力 | 高可靠性，相對低的成本 利用先進的設備平臺，使用先進的生產(chǎn)工藝
封裝能力
恩博芯專注于通過應用更先進的bonding技術，開發(fā)更大電流和更低導通阻抗的產(chǎn)品 !?
Cu Wire Bonding
Al Wire Bonding
Ribbon Bonding
Cu Clip Bonding
